بكين – إسراء الحرف
أعلنت شركة «CXMT» الصينية المتخصصة في صناعة رقائق الذاكرة، اليوم الأحد 20 سبتمبر 2026، دخول منصة الجيل الخامس من تقنيات تصنيع ذاكرة «DRAM» مرحلة الإنتاج الضخم، في خطوة جديدة ضمن تطور صناعة أشباه الموصلات الصينية.
وكشفت الشركة عن المنصة الجديدة خلال مؤتمر التصنيع العالمي 2026 في مدينة خفي الصينية، موضحة أنها تستهدف إنتاج رقائق ذاكرة ذات قدرات أعلى، مع خفض استهلاك الطاقة وتكاليف التصنيع.
ووفقًا للشركة، نجحت التقنية الجديدة في تقليص المسافة بين المكونات الأساسية في منطقة تخزين البيانات إلى 11.95 نانومتر، باستخدام تقنية تصنيع تعتمد على تكرار عمليات تشكيل الأنماط الدقيقة، بما يسمح بزيادة كثافة الذاكرة وعدد الشرائح الممكن إنتاجها من رقاقة السيليكون الواحدة.
وأكدت «CXMT» أن منصة الجيل الخامس تتيح إنتاج عدد إجمالي من الشرائح لكل رقاقة سيليكون يزيد بما لا يقل عن 50% مقارنة بمنصة الجيل الرابع، وفق معيار المقارنة الذي تستخدمه الشركة.
وبالتزامن مع الإعلان، كشفت الشركة عن منتجين جديدين من ذاكرة «LPDDR5X» بسعة 24 غيغابت، مخصصين بصورة رئيسة للهواتف الذكية والأجهزة الإلكترونية المحمولة، مؤكدة دخولهما مرحلة الإنتاج الضخم.
وتعد ذاكرة «DRAM» أحد المكونات الأساسية في الهواتف الذكية والحواسيب والأجهزة الإلكترونية، إذ تعمل كذاكرة مؤقتة عالية السرعة يحتاج إليها الجهاز لتشغيل التطبيقات والبرامج ومعالجة البيانات.
ويأتي التطور الجديد في وقت تشهد فيه صناعة رقائق الذاكرة العالمية منافسة متزايدة، مع نمو الطلب على أشباه الموصلات المرتبط بالتوسع في تطبيقات الذكاء الاصطناعي ومراكز البيانات والأجهزة الإلكترونية المتقدمة.
